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    抗多节点翻转的存储器
    2017-07-17 08:54 来源:哈尔滨市知识产权局 作者:. 点击:
    【申请(专利权)人】哈尔滨工业大学 【发明(设 计)人】肖立伊;郭靖;赵强;杨静 【联系地址】(150001) 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 【摘 要】 抗多节点翻转的存储器,涉及集成电路领域。本发明是为了降低甚至消除SEU效应在存储器中的影响。它具有对存储

      【申请(专利权)人】哈尔滨工业大学

     
      【发明(设 计)人】肖立伊;郭靖;赵强;杨静
     
      【联系地址】(150001) 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
     
      【摘  要】
     
      抗多节点翻转的存储器,涉及集成电路领域。本发明是为了降低甚至消除SEU效应在存储器中的影响。它具有对存储单元发生单节点翻转和多节点翻转时的容错保护功能,它包括两个PMOS存取晶体管以及一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构。所述的一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构(stacked?structure),由PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5和P6同NMOS晶体管N1、N2、N3和N4共同组成。它的一个作用是来降低存储单元的功耗。本发明可以对于存储器中任意单个节点的翻转进行加固,还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错,而不依赖于存储器所存储的值。
     
      【主 权 项】
     
      抗多节点翻转的存储器,其特征是:它包括八个PMOS晶体管和四个NMOS晶体管;所述八个PMOS晶体管分别为一号晶体管(P1)、二号晶体管(P2)、三号晶体管(P3)、四号晶体管(P4)、五号晶体管(P5)、六号晶体管(P6)、七号晶体管(P7)和八号晶体管(P8);所述四个NMOS晶体管分别为九号晶体管(N1)、十号晶体管(N2)、十一号晶体管(N3)和十二号晶体管(N4);所述一号晶体管(P1)的漏极接入电源VDD;所述三号晶体管(P3)的漏极接入电源VDD;所述一号晶体管(P1)的栅极同时与九号晶体管(N1)的栅极、三号晶体管(P3)的源极、四号晶体管(P4)的漏极、六号晶体管(P6)的栅极和八号晶体管(P8)的漏极连接;八号晶体管(P8)的源极接入位线BL;八号晶体管(P8)的栅极接入字线WL;所述一号晶体管(P1)的源极同时与七号晶体管(P7)的漏极、二号晶体管(P2)的漏极、五号晶体管(P5)的栅极、十一号晶体管(N3)的栅极和三号晶体管(P3)的栅极连接;七号晶体管(P7)的源极接入位线BLN;七号晶体管(P7)的栅极接入字线WL;五号晶体管(P5)的漏极接入电源VDD;五号晶体管(P5)的源极同时与十号晶体管(N2)的栅极、四号晶体管(P4)的栅极、十一号晶体管(N3)的漏极和十二号晶体管(N4)的源极连接;六号晶体管(P6)的漏极接入电源VDD;六号晶体管(P6)的源极同时与十二号晶体管(N4)的栅极、二号晶体管(P2)的栅极、九号晶体管(N1)的漏极和十号晶体管(N2)的源极连接;二号晶体管(P2)的源极与九号晶体管(N1)的源极连接;四号晶体管(P4)的源极与十一号晶体管(N3)的源极连接;十号晶体管(N2)的漏极同时与电源地和十二号晶体管(N4)的漏极连接。
     
      【申 请 号】CN201410062259.9
     
      【申 请 日】2014.02.24
     
      【公开(公告)号】CN103778954B
     
      【公开(公告)日】2016.08.31
    (责任编辑:徐榕伯 审核:刘继伟)
     
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